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半导体工艺制造技术

第29任务: 11.1 金属化(1)

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任务列表

  • 第1任务: 1 导论
  • 第2任务: 2 集成电路生产的简介
  • 第3任务: 3.1 半导体的基础
  • 第4任务: 3.2 半导体的基础
  • 第5任务: 3.2 半导体的基础
  • 第6任务: 4 晶圆制造
  • 第7任务: 4 晶圆制造
  • 第8任务: 5.1 热工艺-扩散炉
  • 第9任务: 5.1 热工艺-扩散炉
  • 第10任务: 5.2 热工艺-氧化(1)
  • 第11任务: 5.2 热工艺-氧化(1)
  • 第12任务: 5.2 热工艺-氧化(2)
  • 第13任务: 5.2 热工艺-氧化(2)
  • 第14任务: 5.3 热工艺-扩散
  • 第15任务: 5.3 热工艺-扩散
  • 第16任务: 5.4 热工艺-退火
  • 第17任务: 5.4 热工艺-退火
  • 第18任务: 6.1 光刻-光刻胶
  • 第19任务: 6.1 光刻-光刻胶
  • 第20任务: 6.2 光刻-流程
  • 第21任务: 7.1 等离子基础-等离子及其参数
  • 第22任务: 7.2 等离子基础-等离子和HDP的产生
  • 第23任务: 8 离子注入
  • 第24任务: 9.1 刻蚀-刻蚀的基础和湿法刻蚀
  • 第25任务: 9.2 刻蚀-等离子刻蚀
  • 第26任务: 10.1 化学汽相淀积(1)
  • 第27任务: 10.2 化学汽相淀积(2)
  • 第28任务: 10.3 化学汽相淀积(3)
  • 第29任务: 11.1 金属化(1)
  • 第30任务: 11.2 金属化 (2)
  • 第31任务: 12.1 CMP(1)
  • 第32任务: 12.2 CMP (2)
  • 第33任务: 13 工艺整合和CMOS双肼工艺
  • 第34任务: Rec 10-10-19
  • 第35任务: Rec 11-02-19
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